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中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會第四屆全國寬禁帶半導體學術會議在廈門成功召開

發布時間:2021-11-13收藏本文關閉本文

2021年11月7-10日,以“芯動力 新征程——寬禁帶半導體的機遇與挑戰”為主題的第四屆全國寬禁帶半導體學術會議在廈門盛大召開。本屆會議由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)聯合主辦,在為期兩天的會期時間里,密集的高水平報告,前沿研究內容分享交相輝映,讓與會的嘉賓和青年科研代表享受到寬禁帶技術“科研盛宴”。                                                                                                                                       

 大會開幕式

8日上午召開的開幕式上,廈門大學校長張榮教授,中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學教授郝躍,中國有色金屬學會寬禁帶專業委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲,廈門科技局孔曙光局長先后為大會致開幕詞。因新冠肺炎疫情阻隔,諾貝爾物理學獎獲得者天野浩(Hiroshi Amano)教授通過視頻方式為本屆會議致辭。

廈門大學校長張榮教授

張榮校長致辭時表示,廈門大學是國內最早創辦半導體學科的高校之一,廈門大學半導體研究和廈門半導體產業的發展共同進步,在政府和產業的支持下不斷取得新進展,利用地緣優勢,廈門大學與當地的三安光電、光莆電子、乾照光電等企業聯合攻關,重點開展關于基于寬禁帶半導體的固態照明光源、深紫外消殺技術等方面的交流合作,推動寬禁帶半導體的技術轉化和創新。今年是國家“十四五”的開局之年,站在新起點,新征程上,如何邁好我國寬禁帶半導體發展的步伐至關重要,面對當前的科技博弈,科技的自立自強,是應對風險挑戰的必然選擇。

中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學教授郝躍

郝躍院士致辭時表示,寬禁帶半導體被列為國家“十四五”發展規劃中,國家自然科學基金委非常關注寬禁帶與超寬禁帶半導體的發展,希望從基礎研究的角度不斷推進寬禁帶和超寬禁帶半導體的發展,先從重大項目群開始,成熟后考慮再推進重大研究計劃,推進寬禁帶和超寬禁帶半導體基礎研究的關鍵和核心技術的突破,利用這次機會,希望廣大業界同仁可以探討寬禁帶半導體的發展,以及如何利用好機遇,不斷推進產業的進步和發展。

中國有色金屬學會寬禁帶專業委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義

張國義教授致辭時表示,以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體發展是國際熱點,在半導體照明領域已經形成規?;漠a業,在功率器件和射頻器件方面不斷深入發展,氮化鎵、金剛石等為代表的新材料半導體迅速發展,一些新的材料正在擴展,寬禁帶半導體未來會越來越寬廣。會議對于促進交流,協同創新起到了積極的作用,也得到高度認可,影響力日益增大,希望大家通過此次會議廣泛的討論交流,發現合作機會,實現優勢互補,助力我國搶占寬禁帶半導體國際戰略制高點,推動科學技術發展進步。

  

諾貝爾物理學獎獲得者天野浩(Hiroshi Amano)教授

Amano教授視頻致辭時表示,寬禁帶半導體在解決全球性的問題上,正變得越來越重要,比如硅基功率器件面臨的不足,可以利用寬禁帶半導體來解決,基于寬禁帶半導體的高頻晶體管能夠為5G甚至是5G之后的無線通信系統提供支持,此外,還可以用于抑制新型冠狀肺炎傳播的深紫外消毒器制備。深信會議能圓滿成功,所有與會者都能享受到精彩的演講和熱烈的討論,并啟迪下一步的創新和研發。

 

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲

吳玲理事長致辭時表示,從國際形勢來看,我們面臨非常嚴峻的發展環境,半導體在科技創新,產業發展方面到了一個很關鍵的時期,寬禁帶半導體不僅僅在支撐雙碳實現,支撐數字化,智能化以及產業提升等方面具有非常重要的作用,而且如果能和我國巨大的能源,交通,信息,智能制造巨大市場需求相結合,有可能形成在全球的技術優勢和產業制衡,重塑全球半導體產業格局。第三代半導體的發展對業界同仁也是千載難逢的機遇,希望大家利用好這次會議的平臺充分交流討論,推動政產學研深度融合,以及學科的交叉融合發展,也希望廈門利用好這次機會,如同推動半導體照明產業發展一樣,再次做出表率。

廈門科技局孔曙光局長

孔曙光局長致辭時表示,寬禁帶半導體的發展速度非???,廈門產業發展基礎好,發展速度快,經過多年的發展,在光電領域已經有很好的積累,在發展寬禁帶半導體中具有優勢。2019年廈門就啟動了未來產業培育工程,進行搶先布局,第三代半導體是其中之一,力爭2025年實現第三代半導體產業相關的產值能達到200億元以上,目前也形成了碳化硅和氮化鎵兩條產業鏈,廈門也積極推動布局,增大原始創新能力,希望大家共同努力,共創美好明天。

隨后的大會報告環節,中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學郝躍教授帶來了“寬禁帶半導體電子器件新進展”的主題報告;三安光電股份有限公司林科闖總經理帶來了“大功率GaN藍綠激光器芯片設計、生長和制作 ”的主題報告;廈門大學校長張榮教授介紹了基于寬禁帶半導體量子結構的物理效應與器件應用;中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了“紫外LED研發及應用進展”的主題報告;廈門大學講座教授邱宇峰分享了18 kV SiC IGBT的研制;TKK創新實驗室教授Yogi Ota分享了寬帶隙半導體、研發歷史和實踐。幾大精彩主題報告,從技術、產業,趨勢的角度,廣度與深度結合,高屋建瓴,酣暢淋漓,帶來一場知識與認知的激蕩。

9日下午召開的閉幕大會上,來自香港科技大學劉紀美教授、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員、英國謝菲爾德大學王濤教授、北京大學理學部副主任沈波教授、臺灣交通大學郭浩中教授、山東大學徐現剛教授等嘉賓帶來了精彩報告。

本屆會議為期兩天,同期設置了“材料生長與表征”、“光電子器件及應用”、“電力電子器件及應用”、“新型寬禁帶半導體材料及應用”和青年論壇五場同期分會,并有POSTER交流和企業展覽展示。來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業家代表超500人參與,線上開閉幕式報告直播觀看人次超過13000+。在疫情常態化防控背景下,與會代表圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流,促進產學研用的交流合作。

以會搭橋,促進學術交流,學會充分發揮自身組織優勢,搭建高水平學術交流平臺,切實推動科技經濟深度融合,真正有效地服務地方相關產業高質量發展。本次全國寬禁帶半導體學術會議的成功召開,無疑是對我國寬禁帶半導學術研究與第三代半導體產業發展具有里程碑意義。

 

 

(資料來源:中國有色金屬學會)

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